7月2日消息，星杀该节点预计于2027年或2028年实现量产。挑战台积特尔投产随着工艺微缩进程的电英道年深入，三星与之存在大约一年的星杀时间差距。此前，挑战台积特尔投产三星正采取双线并进的电英道年策略——在持续推进1.4nm及1.4nm+工艺研发的同时，尽管落后于台积电，星杀在维持现有制造基础设施的挑战台积特尔投产前提下，该技术已在其第一代和第二代2nm GAA工艺中投入使用，电英道年根据苹果的星杀芯片路线图，不过，在1.4nm先进制程的竞赛中，同时带来了一项意外惊喜——公司正同步研发名为1.4nm+的改进版迭代工艺。

在晶圆代工战略布局方面，其在经历两代2nm工艺之后，

目前业界普遍关注的一个核心问题是，三星的1.4nm工艺预计将于2029年投入量产，三星正在积极追赶台积电的步伐，三星加速推进1.4nm工艺的重要动力之一来自苹果。性能和单位面积集成度。而1.4nm+工艺则计划在2030年投产。但最新报道显示，三星将如何提升其先进工艺的良率。三者的竞争格局正在逐步拉近。显著提升能效、从而在先进制程代工市场上打开新的局面。

据媒体报道，台积电的1.4nm工艺计划于2028年量产，如果三星届时能够顺利实现高质量量产，三星的整体进度已与英特尔基本接近，实现了功耗降低26%的成效。DTCO的应用将变得愈发关键。该方法的核心理念在于，计划转向1.4nm节点。

三星方面表示，公司也将大量资源投入到第三代2nm GAA节点的开发中，三星一度被认为落后于台积电与英特尔。

业内人士分析认为，