HBM混合键合凉了！三星、SK海力士急刹车：HBM4用不上 HBM5也悬

7月6日消息，混合键合凉K海据报道，力士三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，急刹以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的用不也悬挑战。

混合键合技术在下一代HBM上的混合键合凉K海全面应用可能比预期进一步延迟。行业分析师指出，力士两家公司正重新评估采用混合键合的急刹时机，即使到HBM5也可能暂不采用。用不也悬

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的混合键合凉K海铜线，无需使用凸点，力士有助于减小HBM厚度并改善散热。急刹然而，用不也悬JEDEC正在讨论将HBM5的混合键合凉K海厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。

而HBM3E标准厚度为720微米，力士HBM4已放宽至775微米。急刹厚度标准松动后，混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。

散热问题也有了更简单的替代方案。三星开发了HPB热通道模块，在封装内部加入独立热柱，可从堆叠内部带走热量。

SK海力士则推出iHBM技术，将电绝缘、导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，称可较现有产品降低超过30%热阻。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。即使到HBM4E阶段，12层产品仍极有可能被用作主流产品。

16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。不过混合键合的研发并未停滞。当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。

业内判断，短期内混合键合不会大规模部署，但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。

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