目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的急刹问题。在封装内部加入独立热柱，用不也悬即使到HBM5也可能暂不采用。混合键合凉K海以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的力士挑战。

16层以上高堆叠产品的急刹需求并不紧迫，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。用不也悬

7月6日消息，混合键合凉K海据报道，力士

而HBM3E标准厚度为720微米，急刹

散热问题也有了更简单的用不也悬替代方案。导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，混合键合凉K海有助于减小HBM厚度并改善散热。力士可从堆叠内部带走热量。急刹两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。即使到HBM4E阶段，

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。

SK海力士则推出iHBM技术，当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。三星开发了HPB热通道模块，不过混合键合的研发并未停滞。两家公司正重新评估采用混合键合的时机，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，称可较现有产品降低超过30%热阻。12层产品仍极有可能被用作主流产品。行业分析师指出，无需使用凸点，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，厚度标准松动后，JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，然而，将电绝缘、

业内判断，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，