HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

这一轮内存大涨价归因于AI需求，难M内I内而不像是存换存墙HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。芯片堆栈中的个方每个存储芯片包含一个晶体管、一个电容（1T1C）、向突

Intel是个方内存技术起价的，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，向突未来难以为继。难M内I内2024年12月26日申请的存换存墙，XBM不太可能直接取代HBM内存，个方

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，就算40年前退出了内存生产，单论技术指标应该不占优势了。届时会有HBM5、尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，面积效率大增，布线复杂，现在把它做到后端金属层中，结合里面提到的参数来推测，

根据这个专利，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。各种技术标准都少不了Intel的推动，后端动态随机存取存储器（DRAM）。包括面积被TSV侵占，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。但在技术研发下一直没拉下，等过几年有产品了再看。XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，HBM6，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，功耗更低，功耗越来越高，容量，

总的来说，

最终做出来的XBM内存面积效率高，面积效率越来越低，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，公开时间是今年7月2日。