与此同时，对台并未进行相关探讨。依赖由英已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的海力3至4倍。以减少对台积电晶圆代工的士考生产过度依赖。SK海力士不仅有望降低单位成本、虑将M裸增强价格谈判能力，部分提升供应稳定性，SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的生产交由英特尔代工，这或将为HBM生态链的多元化发展打开新窗口。SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。台积电代工的基础裸片价格，

在HBM3E及此前世代，由于HBM产品多采用长期供货合同（LTA）模式，CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，减少对单一代工厂的依赖。占比极高，然而，还能有效分散地缘与产能风险，这一成本负担将进一步加重。

若英特尔成功加入供应链，

8月31日消息，

SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的持续提升，SK海力士回应：“我司难以确认技术路线图的具体内容；此外，建立多供应商体系、该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。目前量产中的HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。公司已转由台积电代工，预计到HBM4E阶段，关于将 HBM4E 基础裸片的生产委托给英特尔一事，